IRF4905STRLPBF vs IRF4905STRRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF4905STRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF4905STRRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF4905STRLPBF IRF4905STRRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C —
প্যাকেজ D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263-3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (Advanced Process)
MSL লেভেল 1 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 C to +175 C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট