IRF4905STRLPBF vs IRF4905STRRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905STRLPBF tarafından Infineon ve IRF4905STRRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF4905STRLPBF IRF4905STRRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (Advanced Process)
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin