IRF4905STRLPBF vs IRF4905STRRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF4905STRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF4905STRRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF4905STRRPBF IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF4905STRRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF4905STRLPBF IRF4905STRRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (Advanced Process)
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -74 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 170 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں