IRF530NSTRLPBF vs IRFZ44NPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF530NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFZ44NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF530NSTRLPBF | IRFZ44NPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 17 A | 49 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 90 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 24.7 nC | 42 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 70 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3.8 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Package Type | D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | HEXFET (Planar Stripe Cell) | HEXFET (Advanced Process) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| Qualification Market | Industrial | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 17.5 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 94 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | — | 62 C/W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55C to +175C |
| প্যাকেজ | — | TO-220AB (3-pin + tab) |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |