IRF530NSTRLPBF vs IRFZ44NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF530NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFZ44NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF530NSTRLPBF IRFZ44NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 17 A 49 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 90 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 24.7 nC 42 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 70 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET (Planar Stripe Cell) HEXFET (Advanced Process)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant —
Qualification Market Industrial —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 17.5 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 94 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 62 C/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
پیکیج — TO-220AB (3-pin + tab)
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں