IRFL014NTRPBF vs IRF7832TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFL014NTRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF7832TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET 1.9A SOT-223 | Infineon

IRFL014NTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET 1.9A SOT-223 | Infineon

IRFL014NTRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET, 20A, SO-8 | Infineon

IRF7832TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET, 20A, SO-8 | Infineon

IRF7832TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFL014NTRPBF IRF7832TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25 C 1.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at 70 C [DATA_NEEDED: ID at 70 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 160 milliohm —
Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typical [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at 25 C 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
প্যাকেজ SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab) 8-SO (SOIC-8)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Yes (dynamic dv/dt rated) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL লেভেল Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology HEXFET (planar N-channel, fifth generation) HEXFET (trench MOSFET)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট