IRFL014NTRPBF vs IRF7832TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFL014NTRPBF توسط Infineon و IRF7832TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFL014NTRPBF IRF7832TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25 C 1.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at 70 C [DATA_NEEDED: ID at 70 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 160 milliohm —
Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typical [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at 25 C 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
بسته‌بندی SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab) 8-SO (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Yes (dynamic dv/dt rated) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
سطح MSL Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology HEXFET (planar N-channel, fifth generation) HEXFET (trench MOSFET)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت