IRFL014NTRPBF vs IRF7832TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFL014NTRPBF מאת Infineon ו IRF7832TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFL014NTRPBF IRF7832TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25 C 1.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at 70 C [DATA_NEEDED: ID at 70 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 160 milliohm —
Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typical [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at 25 C 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
מארז SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab) 8-SO (SOIC-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Yes (dynamic dv/dt rated) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
רמת MSL Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology HEXFET (planar N-channel, fifth generation) HEXFET (trench MOSFET)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר