IRFL014NTRPBF vs IRF7832TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFL014NTRPBF द्वारा Infineon और IRF7832TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET 1.9A SOT-223 | Infineon

IRFL014NTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET 1.9A SOT-223 | Infineon

IRFL014NTRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET, 20A, SO-8 | Infineon

IRF7832TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET, 20A, SO-8 | Infineon

IRF7832TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFL014NTRPBF IRF7832TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25 C 1.9 A —
Continuous Drain Current (ID) at 70 C [DATA_NEEDED: ID at 70 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 160 milliohm —
Gate Charge (Qg) typical 7 nC —
Threshold Voltage VGS(th) typical [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (PD) at 25 C 1.0 W (free air), up to 2.1 W with proper PCB copper —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
पैकेज SOT-223 (TO-261-4), 4-pin (3 + tab) 8-SO (SOIC-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Yes (dynamic dv/dt rated) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL स्तर Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology HEXFET (planar N-channel, fifth generation) HEXFET (trench MOSFET)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free — Yes

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