IRFR4620TRLPBF vs IRFR2405TRLPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR4620TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR2405TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR4620TRLPBF IRFR2405TRLPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V —
Gate Charge (Qg) 25 nC typical —
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc —
Technology IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
প্যাকেজ / কেস TO-252AA (DPAK) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55C to +175C —
Lead Free Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
MSL লেভেল 1 (Unlimited) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 C to +175 C (junction)
প্যাকেজ — TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Lead-Free / RoHS — Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট