IRFR4620TRLPBF vs IRFR2405TRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR4620TRLPBF מאת Infineon ו IRFR2405TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR4620TRLPBF | IRFR2405TRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFR4620TRLPBF | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 24 A at Tc | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 78 mOhm max at VGS=10V | — |
| Gate Charge (Qg) | 25 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) | 144 W at Tc | — |
| Technology | IR MOSFET | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) |
| מארז / Case | TO-252AA (DPAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| Lead Free | Yes | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| רמת MSL | 1 (Unlimited) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A (typical, per datasheet family) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 16 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 110 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C (junction) |
| מארז | — | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |