IRFR4620TRLPBF vs IRFR2405TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR4620TRLPBF द्वारा Infineon और IRFR2405TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR4620TRLPBF | IRFR2405TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFR4620TRLPBF | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 24 A at Tc | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 78 mOhm max at VGS=10V | — |
| Gate Charge (Qg) | 25 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) | 144 W at Tc | — |
| Technology | IR MOSFET | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) |
| पैकेज / केस | TO-252AA (DPAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +175C | — |
| Lead Free | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 (Unlimited) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A (typical, per datasheet family) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 16 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 110 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C (junction) |
| पैकेज | — | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |