IRFS52N15DPBF vs IRFS52N15DTRLP তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFS52N15DPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFS52N15DTRLP নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFS52N15DPBF IRFS52N15DPBF - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS52N15DPBF - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS52N15DPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK

IRFS52N15DTRLP - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK

IRFS52N15DTRLP ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFS52N15DPBF IRFS52N15DTRLP
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (Planar Cell) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 51 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
RDS(on) max @ VGS=10V 32 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC (typical) [DATA_NEEDED: total gate charge in nC]
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] [DATA_NEEDED: Ciss in pF]
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 230 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +175C —
প্যাকেজ D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263) surface mount
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Qualification Standard JEDEC —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for D2PAK)
Lead-Free Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 150 V
Continuous Drain Current (Id) @ TC = 25 C — 51 A (Tc)
Continuous Drain Current (Id) @ TC = 100 C — 36 A (Tc, estimated)
Continuous Drain Current (Id) @ TA = 25 C — 60 A (Ta, datasheet)
On-Resistance Rds(on) max @ VGS = 10 V — 32 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V (typical 3 V)
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd in nC]
Power Dissipation (Pd) @ TC = 25 C — 230 W (Tc)
Power Dissipation (Pd) @ TA = 25 C — 3.8 W (Ta)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC in C/W]
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA in C/W]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 C to +175 C (junction)
পিন সংখ্যা — 3 (Gate, Drain, Source) + tab
Lead-Free Finish — Yes (matte tin)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট