IRFS52N15DPBF vs IRFS52N15DTRLP موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS52N15DPBF بذریعہ Infineon اور IRFS52N15DTRLP بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK

IRFS52N15DTRLP - 150V 51A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK

IRFS52N15DTRLP ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFS52N15DPBF IRFS52N15DTRLP
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (Planar Cell) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 51 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
RDS(on) max @ VGS=10V 32 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC (typical) [DATA_NEEDED: total gate charge in nC]
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] [DATA_NEEDED: Ciss in pF]
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 230 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263) Surface Mount D2PAK (TO-263) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification Standard JEDEC —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for D2PAK)
Lead-Free Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 150 V
Continuous Drain Current (Id) @ TC = 25 C — 51 A (Tc)
Continuous Drain Current (Id) @ TC = 100 C — 36 A (Tc, estimated)
Continuous Drain Current (Id) @ TA = 25 C — 60 A (Ta, datasheet)
On-Resistance Rds(on) max @ VGS = 10 V — 32 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V (typical 3 V)
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd in nC]
Power Dissipation (Pd) @ TC = 25 C — 230 W (Tc)
Power Dissipation (Pd) @ TA = 25 C — 3.8 W (Ta)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC in C/W]
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA in C/W]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C (junction)
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source) + tab
Lead-Free Finish — Yes (matte tin)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں