IRLH5030TRPBF vs BSZ031NE2LS5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLH5030TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ031NE2LS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 - 25V N-Ch 3.1mOhm OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
BSZ031NE2LS5ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLH5030TRPBF | BSZ031NE2LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IRLH5030TRPBF | BSZ031NE2LS5ATMA1 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44 nC | — |
| Gate Drive Voltage (optimized) | 10 V (capable of 4.5 V) | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3.6 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 156 W | — |
| Thermal Resistance to PCB (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| প্যাকেজ | PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Profile Height | ≤ 0.9 mm | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Rg Tested | 100% | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) | — |
| Industry-Standard Pinout | Yes | — |
| Technology / Platform | — | OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 3.1 mOhm |
| RDS(on) typical @ VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 30 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 C to +150 C |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |