IRLH5030TRPBF vs BSZ031NE2LS5ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLH5030TRPBF מאת Infineon ו BSZ031NE2LS5ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLH5030TRPBF BSZ031NE2LS5ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRLH5030TRPBF BSZ031NE2LS5ATMA1
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC —
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Power Dissipation at TA=25C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25C 156 W —
Thermal Resistance to PCB (RthJC) 0.8 C/W —
מארז PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Profile Height ≤ 0.9 mm —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC standard —
Rg Tested 100% —
RoHS Compliance Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) —
Industry-Standard Pinout Yes —
Technology / Platform — OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 3.1 mOhm
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 30 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 C to +150 C
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL]
סטטוס RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר