IRLML0030TRPBF vs IRLML5103TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLML0030TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLML5103TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLML0030TRPBF | IRLML5103TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 5.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 27 mOhm at VGS=4.5V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V optimized) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 3.6 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C | — |
| প্যাকেজ | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3/SOT-23 |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET Power MOSFET | IR MOSFET |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | — |
| Soldering | Wave-solder capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | P-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage | — | 30 V |
| Continuous Drain Current | — | 760 mA at Ta |
| Power Dissipation | — | 540 mW at Ta |
| Maximum On-Resistance | — | 600 mOhm |
| Gate Charge | — | 3.4 nC |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage Rating | — | -30 V |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 175 C |
| Footprint | — | SOT-23 |