IRLML0030TRPBF vs IRLML5103TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML0030TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLML5103TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML0030TRPBF IRLML5103TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) —
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
پیکیج Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3/SOT-23
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET IR MOSFET
MSL لیول 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
Soldering Wave-solder capable —
Qualification JEDEC standard —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current — 760 mA at Ta
Power Dissipation — 540 mW at Ta
Maximum On-Resistance — 600 mOhm
Gate Charge — 3.4 nC
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage Rating — -30 V
Channel Mode — Enhancement
آپریٹنگ درجہ حرارت — 175 C
Footprint — SOT-23

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں