IRLML0030TRPBF vs IRLML5103TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLML0030TRPBF מאת Infineon ו IRLML5103TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLML0030TRPBF | IRLML5103TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 5.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 27 mOhm at VGS=4.5V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V optimized) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 3.6 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3/SOT-23 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET Power MOSFET | IR MOSFET |
| רמת MSL | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | — |
| Soldering | Wave-solder capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| סוג טרנזיסטור | — | P-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage | — | 30 V |
| Continuous Drain Current | — | 760 mA at Ta |
| Power Dissipation | — | 540 mW at Ta |
| Maximum On-Resistance | — | 600 mOhm |
| Gate Charge | — | 3.4 nC |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage Rating | — | -30 V |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| טמפרטורת פעולה | — | 175 C |
| Footprint | — | SOT-23 |