ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC030N12NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC045N03L5SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC030N12NM6ATMA1 | ISC045N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 6 (trench) | OptiMOS 5 / Trench |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 194 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 21 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 3.4 mOhm @ VGS=10 V | — |
| On-Resistance RDS(on) typical | 3.0 mOhm @ VGS=10 V | — |
| পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) | 250 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full RDS(on)) | — |
| Configuration | Single N-channel, source-down | — |
| Packaging (suffix) | Tape & Reel (ATMA1) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | ISC045N03L5SATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 63 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V @ ID=250 µA |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF @ VDS=15 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +150 °C |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |