ISC030N12NM6ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC030N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC045N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC030N12NM6ATMA1 ISC045N03L5SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 6 (trench) OptiMOS 5 / Trench
Drain-Source Voltage (VDS max) 120 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 194 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 3.4 mOhm @ VGS=10 V —
On-Resistance RDS(on) typical 3.0 mOhm @ VGS=10 V —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 250 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Paket PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55 C to +175 C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full RDS(on)) —
Configuration Single N-channel, source-down —
Packaging (suffix) Tape & Reel (ATMA1) —
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin