ISC046N13NM6ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC046N13NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN04S7N009ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISC046N13NM6ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
প্যাকেজ / কেস PG-TDSON-8 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
প্যাকেজ — PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
MSL লেভেল — 1
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট