ISC0802NLSATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC0802NLSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC046N13NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC0802NLSATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Part Number | ISC0802NLSATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Power MOSFET) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 150 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 125 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| প্যাকেজ / কেস | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |