ISC0802NLSATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC0802NLSATMA1 bằng Infineon và ISC046N13NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC0802NLSATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Part Number | ISC0802NLSATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Power MOSFET) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 150 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 125 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| Hộp | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |