ISC240P06LMATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC240P06LMATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC076N04NDATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISC240P06LMATMA1 ISC240P06LMATMA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISC240P06LMATMA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISC240P06LMATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISC240P06LMATMA1 BSC076N04NDATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) -59 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 24 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 188 W 2.3 W
Technology OptiMOS trench Trench MOSFET (OptiMOS 3)
প্যাকেজ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes (single-pulse) —
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
প্যাকেজ / কেস — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট