ISC240P06LMATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC240P06LMATMA1 توسط Infineon و BSC076N04NDATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC240P06LMATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | -59 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 24 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 188 W | 2.3 W |
| Technology | OptiMOS trench | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per Infineon product page) | — |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |