ISC240P06LMATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC240P06LMATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC240P06LMATMA1 ISC240P06LMATMA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISC240P06LMATMA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISC240P06LMATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC240P06LMATMA1 BSC076N04NDATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) -59 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 24 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 188 W 2.3 W
Technology OptiMOS trench Trench MOSFET (OptiMOS 3)
پیکیج PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes (single-pulse) —
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
پیکیج / کیس — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں