ISZ019N03L5SATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISZ019N03L5SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPT017N12NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1 - 30V 1.9mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

ISZ019N03L5SATMA1 - 30V 1.9mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

ISZ019N03L5SATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISZ019N03L5SATMA1 IPT017N12NM6ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) —
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V —
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
প্যাকেজ PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-HSOF-8 (TOLL)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C (TJ max) —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
Part Number — IPT017N12NM6ATMA1
Technology — OptiMOS 6
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 331 A
On-Resistance RDS(on) max — 1.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 395 W
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55C to +175C
পিন সংখ্যা — 8 + tab
Packaging — Tape & Reel
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট