ISZ019N03L5SATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISZ019N03L5SATMA1 द्वारा Infineon और IPT017N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 - 30V 1.9mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISZ019N03L5SATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 (<= 40V) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 22 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 1.9 mΩ (typical, ID=20A) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | — |
| Gate-Source Voltage Rating (VGS) | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44 nC at VGS=10V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2800 pF at VDS=15V | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (TJ max) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RG-tested | 100% | — |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +175C |
| पिन काउंट | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |