ISZ019N03L5SATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ019N03L5SATMA1 tarafından Infineon ve IPT017N12NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 - 30V 1.9mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISZ019N03L5SATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 (<= 40V) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 22 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 40 A | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 1.9 mΩ (typical, ID=20A) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | — |
| Gate-Source Voltage Rating (VGS) | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44 nC at VGS=10V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2800 pF at VDS=15V | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (TJ max) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS / REACH | Compliant | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RG-tested | 100% | — |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55C to +175C |
| Pin Sayısı | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| RoHS Durumu | — | Compliant |