K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BICH তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WB-BICR নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WB-BICH নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICH
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8Gb
সংগঠন 1G x 8 1G x 8
ডেটা রেট 2400 Mbps 2400 Mbps (DDR4-2400)
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V (VDD/VDDQ) 1.2V
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 —
প্যাকেজ 78-ball FBGA 78-ball FBGA
পিন সংখ্যা 78 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount —
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
অপারেটিং তাপমাত্রা — 0°C to 85°C
Max Supply Current — 170mA
Burst Length — BL8, BL16
CAS লেটেন্সি — Programmable
On-Die ECC — Yes
Data Bus Inversion — Yes
RoHS — Compliant
Die Revision — B-die

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট