K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BICH موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BICR بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BICH بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| پن کی تعداد | 78 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to 85°C |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |