K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BICH So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB-BICR bằng Samsung Electronics và K4A8G085WB-BICH bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G085WB-BICR | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Tổ chức | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V (VDD/VDDQ) | 1.2V |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Hộp | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Số chân | 78 | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| Nhiệt độ hoạt động | — | 0°C to 85°C |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| Latency CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |