K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WB-BCTD তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WC-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WB-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ শেষ কিনার সময়
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WB-BCTD
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস শেষবার কেনার সুযোগ সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $8.53
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
সংগঠন 1G x 8 1G x 8
ডেটা রেট 2666 Mbps (PC4-2133) 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
প্যাকেজ 78-ball FBGA (78FBGA) FBGA-78 (78-ball TFBGA)
Ball Pitch 0.8 mm —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) BL8
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
ইন্টারফেস টাইপ Synchronous, parallel —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V
Die Revision — B-die
Bank Structure — 16 banks, 4 bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT), dynamic ODT
বৈশিষ্ট্য — ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset
Speed Bin — -BCTD (CL-tRCD-tRP bin)
Terminations — 78
JEDEC-30 Package Code — R-PBGA-B78

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট