K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WB-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداری
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WB-BCTD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت آخری بار خریداری فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $8.53
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps (PC4-2133) 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
پیکیج 78-ball FBGA (78FBGA) FBGA-78 (78-ball TFBGA)
Ball Pitch 0.8 mm —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) BL8
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
انٹرفیس ٹائپ Synchronous, parallel —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Die Revision — B-die
Bank Structure — 16 banks, 4 bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT), dynamic ODT
خصوصیات — ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset
Speed Bin — -BCTD (CL-tRCD-tRP bin)
Terminations — 78
JEDEC-30 Package Code — R-PBGA-B78

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں