K4A8G085WC-BCWE vs H5AN8G8NAFR-VKC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WC-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5AN8G8NAFR-VKC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WC-BCWE | H5AN8G8NAFR-VKC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $7.38 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| সংগঠন | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| প্যাকেজ | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | DDR4 (parallel, double data rate) | SSTL12 |
| Application Class | Computing / Embedded main memory | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | DDR4 bank groups (8n prefetch) | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) |
| Speed Bin Suffix | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Refresh | Standard DDR4 refresh mechanisms | — |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (VKC bin) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes (DLL for output skew control) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Recommended Application | — | Main memory requiring large density and high bandwidth |