K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB-BICH তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WC-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WB-BICH নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| সংগঠন | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -40°C to +95°C | — |
| প্যাকেজ | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| ইন্টারফেস | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | BL8, BL16 |
| CAS লেটেন্সি | 22 (CL22) | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C to 85°C |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |