K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB-BICH השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC-BIWE מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BICH מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| מארז | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| ממשק | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | BL8, BL16 |
| השהיית CAS | 22 (CL22) | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| מתח אספקה | — | 1.2V |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to 85°C |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |