K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB-BICH Perbandingan
Perbandingan bersamaan detil K4A8G085WC-BIWE dari Samsung Electronics dan K4A8G085WB-BICH dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.
Perbandingan Spesifikasi
| Parameter Umum | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Tipe Memori | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organisasi | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Laju Data | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Rentang Suhu Kerja | -40°C to +95°C | — |
| Paket | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipe Mounting | Surface Mount | — |
| Antarmuka | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | BL8, BL16 |
| Latensi CAS | 22 (CL22) | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tegangan Pemuat | — | 1.2V |
| Suhu Kerja | — | 0°C to 85°C |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |