K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB-BICH مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WC-BIWE توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BICH توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C | — |
| بسته‌بندی | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| رابط | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | BL8, BL16 |
| تأخیر CAS | 22 (CL22) | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2V |
| دمای کاری | — | 0°C to 85°C |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |