K4A8G165WB-BCTD vs MT40A512M16JY-075E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT40A512M16JY-075E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WB-BCTD | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| সংগঠন | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | — |
| প্যাকেজ | 96FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| Die Generation | B-die | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | DDR4 (parallel, double data rate) | Parallel |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |