K4B4G1646D-BMK0 vs NT5CB256M16CP-DI তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646D-BMK0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও NT5CB256M16CP-DI নির্দিষ্ট Nanya Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ সক্রিয়
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4B4G1646D-BMK0 NT5CB256M16CP-DI
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Nanya Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Density 4 Gb 4 Gb
সংগঠন 256M x 16 256M x 16
Speed Grade 1600 Mbps (PC3L-12800) —
Voltage 1.35 V —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40°C to 95°C —
প্যাকেজ 96FBGA (TFBGA) TFBGA-96
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Die Version D-die —
Lead-Free Yes Yes
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
RoHS Compliant Yes —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Number of Functions 1 —
ডেটা রেট 1600 Mbps 1600 Mbps/pin (max)
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.35 V (DDR3L)
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
Write Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Additive Latency — 0-13
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
RoHS — Compliant
Differential Clock Input — Yes (CK, CK#)
On-Die Termination (ODT) — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট