K4B4G1646D-BMK0 vs NT5CB256M16CP-DI موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BMK0 بذریعہ Samsung Electronics اور NT5CB256M16CP-DI بذریعہ Nanya Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BMK0 | NT5CB256M16CP-DI |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to 95°C | — |
| پیکیج | 96FBGA (TFBGA) | TFBGA-96 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Die Version | D-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin (max) |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Additive Latency | — | 0-13 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| RoHS | — | Compliant |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |