K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16HA-107AAT:E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646D-BYH9 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT41K256M16HA-107AAT:E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ সক্রিয়Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16HA-107AAT:E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Density | 4 Gb | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ডেটা রেট | 1333 Mbps | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | 1.35V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0 ~ 85 °C | 0°C to +95°C (Tc) |
| প্যাকেজ | 96FBGA | 96-FBGA (9x14mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS লেটেন্সি | Programmable | 13 (typical) |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| মেমরি টাইপ | — | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |