K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16HA-107AAT:E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BYH9 توسط Samsung Electronics و MT41K256M16HA-107AAT:E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16HA-107AAT:E |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 1333 Mbps | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35V |
| دمای کاری | 0 ~ 85 °C | 0°C to +95°C (Tc) |
| بسته‌بندی | 96FBGA | 96-FBGA (9x14mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| تأخیر CAS | Programmable | 13 (typical) |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| نوع حافظه | — | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| رابط | — | Parallel |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |