K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16HA-107AAT:E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BYH9 द्वारा Samsung Electronics और MT41K256M16HA-107AAT:E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ सक्रियMicron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16HA-107AAT:E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 1333 Mbps | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 ~ 85 °C | 0°C to +95°C (Tc) |
| पैकेज | 96FBGA | 96-FBGA (9x14mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS लेटेंसी | Programmable | 13 (typical) |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| मेमोरी प्रकार | — | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |