K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BCNB তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646E-BYK0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4B4G1646E-BCNB নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646E-BCNB |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $13.52 |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| ডেটা রেট | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C |
| CAS লেটেন্সি | 11 (CL-tRCD-tRP) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8, 4 (fixed) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| মেমরি সাইজ | — | 4 Gb |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| ইন্টারফেস টাইপ | — | Parallel |
| Refresh | — | 8K / 64 ms |
| Write Recovery Time | — | [DATA_NEEDED: tWR] |
| Row Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | — | [DATA_NEEDED: tRCD] |
| Row Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRP] |
| Active to Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRAS] |