K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BCNB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646E-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646E-BCNB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646E-BCNB |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $13.52 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| ڈیٹا ریٹ | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C (TC) | 0C to +95C |
| CAS لیٹنسی | 11 (CL-tRCD-tRP) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8, 4 (fixed) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| میموری سائز | — | 4 Gb |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Parallel |
| Refresh | — | 8K / 64 ms |
| Write Recovery Time | — | [DATA_NEEDED: tWR] |
| Row Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | — | [DATA_NEEDED: tRCD] |
| Row Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRP] |
| Active to Precharge Time | — | [DATA_NEEDED: tRAS] |