K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K256M16HA-125 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646E-BYK000 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT41K256M16HA-125 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646E-BYK000 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $6.36 |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | 4Gbit (256M x 16) |
| সংগঠন | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| বৈশিষ্ট্য | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Access Time | 1.25 ns | 13.75 ns |
| ডেটা বাস প্রস্থ | — | 16 bit |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.35 V |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| CAS লেটেন্সি | — | 11 |