K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K256M16HA-125 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYK000 توسط Samsung Electronics و MT41K256M16HA-125 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $6.36 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | 4Gbit (256M x 16) |
| سازمان | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| ویژگی‌ها | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Access Time | 1.25 ns | 13.75 ns |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bit |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35 V |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| تأخیر CAS | — | 11 |